4 inch GaN On SiC Epi Wafer Suppliers 4英寸碳化硅基氮化镓外延片供应商 RF & Power GaN HEMT On SiC Epi(Epitaxial) Wafer Manufacturers 射频碳化硅基氮化镓功率外延片厂家
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    网站标题 137 个字符 4 inch GaN On SiC Epi Wafer Suppliers 4英寸碳化硅基氮化镓外延片供应商 RF & Power GaN HEMT On SiC Epi(Epitaxial) Wafer Manufacturers 射频碳化硅基氮化镓功率外延片厂家 一般不超过80字符
    网站关键词 0 个字符 一般不超过100字符
    网站描述 784 个字符 HMT is the professional suppliers and manufacturers of GaN-On-SiC Epi (Epitaxial) Wafer, Power & RF GaN HEMT On SiC Epi Wafer With AlGaN/GaN HEMT Structure. Including 4 inch & 6 inch RF GaN-On-SiC HEMT Epi Wafer. For E-Mode/D-Mode GaN-On-Si Epi Wafer, It is difficult to ensure RF Loss < 0.25 dB/mm@10GHz,But it's ascertainable for GaN-On-SiC low RF Loss, Even during in the GaN Epi Wafer-End . GaN-On-SiC Epi surface is not easy to be forming the conductive layer, it has no break/killing effect RF response. 苏州恒迈瑞作为-射频RF HMET结构碳化硅基,功率硅基-GaN氮化镓外延片的专业供应商生产商及厂家。可为客户定制生产4英寸碳化硅基(SI半绝缘型SiC碳化硅衬底片), 6英寸硅基(高电阻硅衬底片)Power HEMT功率及RF射频 GaN氮化镓外延片,以及蓝宝石基氮化镓外延片。HMT的碳化硅基GaN氮化镓外延片可以确保非常低的RF射频传导损耗RF Loss < 0.25 dB/mm@10GHz, 碳化硅基GaN与硅基GaN氮化镓Epi外延片完全不同,它的表面不容易形成一个对射频响应杀伤很大的导电层。 一般不超过200字符

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    页面类型
    text/html; charset=utf-8
    服务器类型
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    程序支持
    PbootCMS
    连接标识
    消息发送
    2025年2月6日 10时20分34秒
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